Ізостатичний графітовий тигель з покриттям SiC
Тигель Semixlab з ізостатичного графіту SiC з покриттям розроблений для вимогливих напівпровідникових застосувань, поєднуючи ізостатичний графіт високої щільності з покриттям з карбіду кремнію, отриманим методом CVD, для неперевершеної термічної стабільності, чистоти та довговічності. Ці тиглі, що широко використовуються для вирощування кристалів SiC (метод PVT), вирощування монокристалів кремнію та процесів високотемпературної термічної обробки та дифузії, забезпечують рівномірний розподіл тепла, мінімізують забруднення та подовжують термін служби.
Опис
Тигель з ізостатичного графіту з покриттям SiC, що пропонується Semixlab, виготовлений з високоякісного ізостатичного графіту, відомого своєю рівномірною щільністю, дрібнозернистою структурою та винятковою механічною міцністю в екстремальних умовах. На поверхню графіту наноситься високочисте покриття з карбіду кремнію (SiC), отримане методом хімічного осадження з парової фази (CVD), створюючи щільний захисний шар, який значно підвищує стійкість до окислення, термостабільність та хімічну інертність. Ця вдосконалена комбінація матеріалів забезпечує чудову теплопровідність, мінімізацію забруднення, тривалий термін служби та стабільну роботу в умовах надвисокої температури для обробки напівпровідників.
Специфікації
Склад і властивості матеріалу
Наш тигель виготовлений з двох ключових матеріалів:
·Ізостатичний графітовий субстрат: Цей базовий матеріал виготовляється за допомогою ізостатичного пресування, що забезпечує однорідну структуру високої щільності з винятковою механічною міцністю та термостабільністю. Ця ізотропна природа означає, що його властивості є стабільними в усіх напрямках, запобігаючи деформації та розтріскуванню навіть при екстремальних термоциклах. Високочистий графіт, який ми використовуємо, мінімізує вміст домішок, що є важливим для запобігання забрудненню в чутливих напівпровідникових процесах.
·Покриття з карбіду кремнію (SiC): Нанесений за допомогою вдосконаленого методу хімічного осадження з парової фази (CVD), шар SiC створює щільний, непористий захисний бар'єр.
| Основні фізичні властивості CVD покриття SiC | |
| властивість | типове значення |
| Кристалічна структура | FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована |
| Щільність | 3.21 г / см³ |
| Твердість | Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г) |
| Розмір зерна | 2 ~ 10 мкм |
| Хімічна чистота | 99.99995% |
| Теплоємність | 640 Дж·кг-1·К-1 |
| Температура сублімації | 2700 ℃ |
| Сила гнучкості | 415 МПа RT 4-точковий |
| Модуль Юнга | 430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃ |
| Теплопровідність | 300 Вт·м-1·К-1 |
| Теплове розширення (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
додатків
Функціональна роль у напівпровідникових процесах
1. Вирощування кристалів SiC (метод PVT)
У методі фізичного перенесення пари (PVT) для вирощування кристалів SiC тигель відіграє вирішальну роль у досягненні високоякісного виробництва кристалів. Покрита SiC поверхня забезпечує хімічно стабільне середовище утримання, яке запобігає небажаним реакціям між графітовою підкладкою та вихідним матеріалом SiC. Це мінімізує забруднення вуглецем та підвищує однорідність кристалічної решітки. Чудова теплопровідність тигля забезпечує стабільний розподіл тепла, що є критично важливим для контролю градієнтів температури та зменшення щільності дислокацій у SiC-булях. Як результат, тигель безпосередньо сприяє покращенню виходу кристалів та якості пластин для подальшого виготовлення напівпровідникових приладів.
2. Вирощування монокристалів кремнію
Під час процесів вирощування монокристалів кремнію (таких як метод Чохральського) тигель повинен витримувати тривалий вплив надзвичайно високих температур, зберігаючи при цьому хімічну інертність. Покриття SiC служить захисним бар'єром від окислення та дифузії домішок, гарантуючи, що забруднення не мігрують у розплавлений кремній. Це призводить до отримання високочистих кристалів кремнію з меншою кількістю структурних дефектів, що є важливим для виробництва сучасних інтегральних схем, силових пристроїв та фотоелектричних елементів. Крім того, покриття подовжує термін служби тигля, зменшуючи частоту заміни та загальну вартість виробництва.
3. Високотемпературна термічна обробка та дифузійні процеси
У процесах термічної обробки, відпалу та дифузії напівпровідникові пластини піддаються впливу підвищених температур, де чистота та стабільність мають першочергове значення. Тигель з покриттям SiC забезпечує чудову стійкість до сублімації та виділення газів, запобігаючи утворенню частинок, які можуть пошкодити поверхню пластин. Його термічна стабільність забезпечує рівномірні умови нагрівання, що сприяє точній дифузії легуючих домішок та стабільній роботі пластин. Підтримуючи чисту технологічну атмосферу та мінімізуючи деградацію матеріалу, тигель допомагає виробникам досягати надійних пластин без дефектів у великомасштабному виробництві.
конкурентні переваги
Переваги Semixlab
Semixlab виділяється як надійний постачальник, поєднуючи точну інженерію та суворий контроль якості. Кожен тигель з графітовим покриттям SiC проходить ретельні заводські випробування, щоб забезпечити адгезію покриття, однорідність товщини та продуктивність при термоциклуванні. Компанія пропонує індивідуальні рішення, підбираючи розміри тигелів, товщину покриття та властивості поверхні відповідно до конкретних вимог процесу.
Окрім виробництва, Semixlab також надає технічні консультації та підтримку в застосуванні, допомагаючи інженерам-напівпровідникам та командам закупівель вибрати найбільш підходящу конструкцію тигля для їхніх технологічних умов. Завдяки своїй твердій відданості якості та індивідуальним вимогам, Semixlab забезпечує надійне постачання та довгострокову продуктивність для виробництва передових напівпровідників.
Наші Послуги

Магазин продуктів Semixlab


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




