EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
8-дюймовий графітовий диск для епітаксії SiC
8-дюймовий графітовий диск для епітаксії SiC – це прецизійно розроблений опорний компонент, призначений для забезпечення стабільного та повторюваного епітаксіального росту карбіду кремнію на пластинах великого діаметра. Виготовлений з високочистого ізостатичного графіту, диск забезпечує рівномірну теплопровідність, чудову розмірну стабільність та низький рівень домішок в екстремальних умовах процесу. У високотемпературних середовищах CVD та MOCVD на основі SiC він допомагає підтримувати однорідне теплове поле по всій пластині, зменшуючи неоднорідність товщини, скочування країв та утворення дефектів. Таке поєднання чистоти матеріалу та теплової надійності робить графітовий диск критично важливим елементом для 8-дюймової епітаксії SiC виробничого класу з високим виходом та стабільною продуктивністю. Ми раді вашим запитам.
Опис
8-дюймовий графітовий диск для епітаксії SiC розроблений для забезпечення стабільної та повторюваної підтримки для епітаксіального росту карбіду кремнію на пластинах великого діаметра. Оскільки процеси епітаксії карбіду кремнію переходять від виробництва розміром 6 дюймів до 8 дюймів, однорідність теплового поля та структурна стабільність основи пластини стають все більш критичними. Цей графітовий диск є життєво важливим компонентом системи управління температурою реактора, забезпечуючи контрольоване та однорідне теплове середовище, яке безпосередньо впливає на однорідність товщини епітаксіального шару, розподіл легуючих домішок та загальну повторюваність процесу.
Виготовлений з високочистого ізостатичного графіту, цей матеріал був обраний завдяки своїй винятковій теплопровідності, ізотропним фізичним властивостям та низькому вмісту домішок. Ізостатична структура забезпечує стабільну щільність та теплову реакцію по всьому діапазону діаметрів 8 дюймів, мінімізуючи радіальні градієнти температури та механічну деформацію під час тривалої роботи за високих температур. У типових процесах CVD та MOCVD на основі карбіду кремнію, де температури росту часто перевищують 1600°C, а швидкі термоцикли є поширеними, графітовий диск зберігає площинність та розмірну стабільність. Це забезпечує надійне позиціонування пластини та рівномірну теплопередачу протягом усього епітаксіального циклу.
З точки зору процесу, 8-дюймовий графітовий диск відіграє вирішальну роль у визначенні теплових граничних умов на межі розділу пластина-підкладка. Забезпечуючи передбачуваний та рівномірний тепловий потік, він допомагає придушити ефекти скочування країв, зменшує дефекти, викликані напруженнями, та дозволяє ретельніше контролювати товщину епітаксіального шару по всій поверхні пластини. Висока чистота графітової підкладки додатково мінімізує ризики забруднення металом та включення фонових домішок, що є критично важливим для епітаксії SiC класу для силових пристроїв, що вимагає низької щільності дефектів та високої електричної узгодженості.
Як провідний китайський виробник і постачальник епітаксіальних компонентів, 8-дюймовий графітовий диск Semixlab для епітаксії SiC спеціально розроблений для вимогливих умов виробництва епітаксіальної SiC. Поєднуючи високочистий ізостатичний графіт з прецизійною обробкою та суворим контролем якості, цей продукт забезпечує стабільність, чистоту та повторюваність, необхідні для великосерійної 8-дюймової SiC епітаксії. Це підвищує вихід продукції, максимізує час безвідмовної роботи обладнання та знижує загальну вартість володіння. Водночас Semixlab продовжує надавати провідні технічні консультаційні послуги та індивідуальні рішення для продуктів. Ми щиро сподіваємося стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.
Наші Послуги
Магазин продуктів Semixlab
