8-дюймовий лоток для повітряного поплавця з покриттям TaC для епітаксії SiC

8-дюймовий лоток з повітряним поплавком з покриттям TaC є критично важливим компонентом у процесах епітаксії багатопластинного карбіду кремнію, призначений для підтримки та транспортування пластин карбіду кремнію під час епітаксіального вирощування. У складних умовах печей для епітаксії карбіду кремнію лотки повинні витримувати екстремально високі температури, агресивні гази та тривалі цикли обробки. Поєднуючи покриття TaC методом химічного осаду (CVD) з високочистими графітовими підкладками, цей лоток з повітряним поплавком забезпечує чудову міцність, термічну стабільність та однорідність процесу, що робить його важливим елементом у виробництві великосерійних пластин карбіду кремнію.

Ⅰ. Склад матеріалу та фізичні властивості

Повітряний поплавковий лоток з покриттям TaC поєднує в собі передові матеріали для досягнення як механічної міцності, так і хімічної стійкості, необхідних для напівпровідникової епітаксії:

●Матеріал основи: Токсецептор з високочистого графіту (наднизький вміст домішок, висока теплопровідність)

●Захисний шар поверхні: Покриття TaC (карбід танталу), нанесене методом хімічного осадження з парової фази, забезпечує надзвичайну стійкість до зносу та корозії

Основні фізичні властивості:

Чистота покриття TaC: ≥ 99.99%

Твердість (HK): ~2000 HK

Температура плавлення: ~3,880 °C

Теплопровідність: Відмінна, що забезпечує рівномірний нагрів пластини

Стійкість до галогенної корозії: Виняткова стабільність в епітаксіальних середовищах, багатих на хлор та фтор

Густина базового графіту: ~1.85–1.95 г/см³

Робоча температура: до 2,000 °C у контрольованих умовах

Ці властивості гарантують, що 8-дюймовий лоток з покриттям TaC може витримувати тривалі епітаксіальні цикли, мінімізуючи утворення частинок та забруднення пластини.

Ⅱ. Ключові функції в епітаксії SiC

Наш 8-дюймовий лоток з покриттям TaC відіграє життєво важливу роль у процесі епітаксії напівпровідникового SiC, виконуючи кілька критично важливих функцій:

●Рівномірний розподіл температури: Висока теплопровідність графітової підкладки та покриття TaC забезпечує чудову теплопередачу та рівномірну температуру по всіх пластинах SiC. Ця однорідність є вирішальною для досягнення однакової товщини та морфології епітаксіального шару.

●Захист від травлення та забруднення: Хімічно інертне покриття TaC ефективно запобігає реакції графітової підкладки з газами-попередниками, що може спричинити травлення та забруднення твердими частинками. Цей захист є ключовим для підтримки чистого технологічного середовища та забезпечення високого виходу пластин.

●Збільшений термін служби: Міцне покриття TaC значно подовжує термін служби токсектора, захищаючи графіт від зносу та хімічної деградації, зменшуючи частоту заміни та знижуючи експлуатаційні витрати.

●Конструкція повітряного поплавця: Унікальна конструкція повітряного поплавця мінімізує фізичний контакт між токсцептором і камерою, зменшуючи тертя та запобігаючи потенційному утворенню частинок, які можуть забруднити пластини. Саме тому його також називають лотком повітряного поплавця з покриттям TaC.

Переваги Semixlab

У Semixlab ми виходимо за рамки стандартних продуктів, щоб запропонувати індивідуальні рішення, що відповідають конкретним потребам вашого процесу епітаксії.

●Налаштування: Ми пропонуємо комплексні варіанти налаштування, включаючи різні форми, розміри та товщину покриття, щоб ідеально відповідати специфікаціям вашого реактора та вимогам процесу.

●Експертна технічна консультація: Наша команда досвідчених інженерів надає поглиблену технічну підтримку та консультації, допомагаючи вам оптимізувати ваш процес та безперешкодно інтегрувати наші продукти.

●Ретельне передтранспортне тестування: Кожна плита з покриттям TaC проходить випробування в екстремальних умовах перед відправкою. Ми перевіряємо її експлуатаційні характеристики та цілісність за високих температур та в хімічно агресивних середовищах, щоб гарантувати, що вона відповідає вашим вимогливим експлуатаційним потребам.